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导师先容--黄辉祥

 

技术职称:副教授

所获学位:博士

研究方向:新型半导体器件、高可靠集成电路设计

联系电话:18359719721

电子邮箱:hxhuang@xmut.edu.cn

个人概况:黄辉祥,男,博士,澳门新葡亰平台游戏(微电子学院)副教授;2014年毕业于中国科学院上海微系统与信息技术研究所,获工学博士学位;主要研究领域为高性能、高可靠SOI材料、器件及电路;在SOI材料制备及改性、半导体器件仿真建模、抗辐照SOI集成电路设计等方向有较为深入的研究;承担国家自然科学基金青年项目、福建省自然科学基金青年项目、澳门新葡亰赌全部网址引进高层次人才项目等多项科研项目;2017年入选福建省高校“杰出青年”人才资助计划;已发表论文10篇,申请专利4项。

教育经历:

2009/09-2015/06中国科学院上海微系统与信息技术研究所,微电子学专业,博士

2005/09-2009/06,西安交通大学,电子科学与技术系,学士

 

主持科研项目:

1. 福建省自然科学基金项目0.13微米新型抗辐照SOI器件结构研究,2016/04-2019/034

2. 国家自然科学基金青年项目,深亚微米SOI器件总剂量辐射模型及背栅加固技术研究,24

3. 福建省教育厅,纳米SOICMOS器件单粒子瞬态及加固技术研究7

4. 澳门新葡亰赌全部网址,新型抗辐射SOI器件及其模型研究,10

5. 横向项目,氮化镓功率器件技术分析及模型验证App开发,80

代表性研究成果:

[1] Threshold Voltage Model of Total Ionizing Irradiated Short-Channel FD-SOI MOSFETs with Gaussian Doping Profile. IEEE Trans. Nucl. Sci. 2018(65): 2679-2690.

[2] Enhanced Radiation Hardness in SOI MOSFET With Embedded Tunnel Diode Layer. IEEE Trans. Nucl. Sci. 2017(66): 2369-2376.

[3] Hardening silicon-on-insulator nMOSFETs by multiple-step Si+ implantation. Microelectronics Reliability 2016(57): 1-9.

[4] Improving Total Dose Tolerance of Buried Oxides in SOI Wafers by Multiple-Step Si+ Implantation. IEEE Trans. Nucl. Sci. 2014(61): 1400-1406.

[5] Investigation of the Total Dose Response of Partially Depleted SOI nMOSFETs using TCAD Simulation and Experiment. Microelectron. J. 2014(45): 759-766.

[6] Total Dose Irradiation-Induced Degradation of Hysteresis Effect in Partially Depleted Silicon-on-Insulator nMOSFETs. IEEE Trans. Nucl. Sci. 2013(60): 1354-1360.

[7] The Enhanced Role of Shallow-Trench Isolation in Ionizing Radiation Damage of Narrow Width Devices in 0.2 μm PD SOI Technology. Chin. Phys. Lett. 2013(30): 080701-1-4.

[8] Influence of Drain and Substrate Bias on the TID Effect for Deep Submicron Technology Devices. J. Semicon. 2012(33): 044008-1-5.

[9] A Novel Partially-Depleted SOI Structure to Suppress Bipolar Amplification under Heavy Ion Radiation. RADECS 2016.

[10] A Novel Radiation-Tolerant SOI MOSFET with Tunnel Diode Layer. IWRRE-MNED2017.

[11] An Analytical Subthreshold Swing Model for fully-depleted MOSFETs with vertical Gaussian profile fabricated on modified silicon-on-insulator wafers. Microsystem Technologies. 2018.12

更新时间:2020-03-10  【打印此页】  【关闭
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